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碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺<p>&nbsp; &nbsp;適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開關(guān)特性測試 <br/>開關(guān)時間測試條件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; Vce：200V～2000V<br/>Vgs：-10V～＋20V&nbsp; Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)<br/>負(fù)載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換<br/>電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH<br/>電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R<br/>IGBT開關(guān)特性測試參數(shù)<br/>開通延遲td(on): 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>上升時間tr:&nbsp;&nbsp;&nbsp; 20nS -10uS<br/>開通能量Eon：&nbsp; 0.1-1000mJ&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>關(guān)斷延遲時間td(off)：20 nS -10uS&nbsp; &nbsp;<br/>下降時間 tf： 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<b